SJ 50033.16-1994 半导体分立器件.3DK307型功率开关晶体管详细规范
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ID： |
47BB536316004A0F82E6C7C401D9C78D |
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文件大小(MB)： |
0.45 |
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页数： |
10 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,SJ 50033M6-94,3DK307型功率开关晶体管详细规范,范围,1.I主题内容,本规范规定了 3DK307A-G型NPN硅功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按,GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级（GP、GT和GCT级）,1-2外形尺寸,外形尺寸应按GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》的B2-01C型及加ド规定（见图1）：,图1,中华人民共和国电子工业部1994 09-30发布1994-12-01 实施,］一,SJ 50033/16-94,1.3 最大额定值,型 号,尸ハ,員=25,(W),匕ー亜,(V),匕M,(V),V的〇,(V),人,(A),h,(A),匕,(C),6,(C),3DK3O7A 700 400,3DK307B 800 450,3DK307C 900 500,3DK3O7D 100 1000 550 6 50 2.0 175 :- 55.175,3DK3O7E 1100 600,3DK3O7F 1300 700,3DK307G 1500 800,注,1)員>25C,按666mW/C的速率线性地降额,1.4 主要电特性(ら=25 C),注：1) hnt =40各档,其误差不超过±20% ； hm >40各档,其误差不超过エ10%,\极限值,型号、,k 1J,vCE =iov,=2. 5A,匕?山如1 V BESmF ムヤゝh,匕丒ド- 10V,ん5A,f*3. OMHz,(MHz),V\h = 10V,0. 1MHz,ん=0,(pF),Rduj - c,VCE -25V,Ic. = 1，3A,(C/W),厶工& 5A,5A,(V),ム=2.5A,厶=0, 5A,/r = - 0. 75A,(愜),max max min max max,3DK307A.G,标7.15,红15.25,橙25.20,黄40、55,绿55.80,L5 L5 LO 2.2 LO 6 470 1.5,2弓I用文件,GB 4587双极型晶体管测试方法,GB 7581半导体分立器件外形尺寸,GJB 33 半导体分立器件总规范,GJB 128半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3. 2.1引出线材料和涂层,——2 .- -.,SJ 50033/16-94,引出线材料应为可伐,引出线表面应为锡层或银层。对引出线涂层有选择要求时,在合同,或订货单中应予规定,3.3标志,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定.,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,器件的筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表!的规定进行,超,过本规范表!规定极限值的器件应予剔除,筛 选,（见GJB 33的表2）,测 试,GT和GCT级,7.中间参数测试（舞和AfEI,8,功率老化见も3. 1,9、最后测试按本规范表1的A2分组:,Mem] W初始值的100%或20即A,取较大者,?F电丒初始值的士 2。%,4- 3-I功率老化条件,功率老化条件如下:,T; -162.5±12.5C,VCE -25V,产例＞5OW,4.4 质量一致性检验,质量…致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行.,4.4- 2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,ルル3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行.,4.5检 验方法,检验方法应按本规范相应的表和下列规定.,4- 5-1脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128的3. 3. 2.1的擬定,3 —,SJ 50033/16-94,4.5-2热阻,热阻测试应按GB 45sア的2. 10和下列规定,a,加功率时的ん=L3A；,b1 了3 =25V i,C.基准温度测试点应为管壳;,d丒基准点温度范围为25 Cく Tc く75 C ,实际温度应记录;,e,安装应带散热装置,f.武皿い） 的最大极限值应为1.5 C7W,4.5.3 C组寿命试验,C组寿命试验应按GJB 33和本规范的规定进行,4. 5.4恒定加速度,恒定加速度试验应按GJB 33和本规范的规定进行,表i A组检验,检験或试验,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件min max,A1分组GJB 128 5,外观及机械检验2071,A2分组5,集电极ー发射极本规范发射极一基极开路y ibk^eo,击穿电压附录A ム—5mA,3DK307A 400 V,3DK307B ,150 - V,3DK307C 500 V,3DK307D 550 — V,3DK307E 600 - V,3DK3O7F 700 — V,3DK307G 800 V,发射极一基极2. 9. 2. 2 集电极一基极开路, “ZliRiE棟) 6 — V,击穿电压/r = 5mA,集电极一基极2.1 发射极一基极开路I L* — 0.4 mA,截止电流匕H =匕、BO,集电极一发射极2.L4 发射极一基极开路; IcEO L0 mA,截止电流,匕T = 4-V(?eo,发射极一基板2.2 集电极基极开路; — 0.4 mA,戯止电流VliH = 6ゼ,集电极ー发射极2.3 ん=2.5A 匕:Eimi……
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